1. 关键微纳器件
衍射光栅耦合器:线宽≤15 nm,插损<0.5 dB,可直接做在硅光晶圆上,用于800 G/1.6 T CPO引擎的激光-光纤高效耦合,已送样国内主流光模块厂。
波长选择镜/外腔可调激光器镜:多层光栅一次成型,可把封装厚度降低60%,替代传统体光学元件。
2. 直写光刻装备
3×66 nm无掩模激光直写机:曝光面积300 mm×300 mm,套刻精度±50 nm,可把AWG、光子晶体、VOA等硅光芯片的流片周期从6周缩到1周,已小批量交付光模块厂用于快速迭代。
通过控股常州维普补齐28 nm以下掩膜写入能力,未来可延伸至硅光调制器、光开关矩阵、量子通信用高维光栅等高端场景。
3. 纳米压印材料与工艺
紫外固化纳米压印:可在200 mm晶圆上一次性复制石英或硅基光栅,单步良率97%,单通道成本降至0.3美元,与CMOS后道兼容,避免二次贴片,降低封装成本30%以上。
4. 应用进展
上述耦合光栅与直写装备已同步通过国内头部光模块厂验证,2025年Q4起有望随客户切入海外云厂商1.6 T CPO供应链。
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