新材料对制片过程提出更高适配性要求。一、正极：高镍、富锂锰基材料表面反应活性强，易与溶剂发生副反应，影响界面稳定性。二、负极：锂金属极性大，遇水剧烈反应；硅基负极在湿法中易形成不稳定界面，影响循环性能。三、电解质：硫化物电解质对湿气敏感，遇水后会产生巨毒硫化氢，若用湿法制备需在手套箱中操作，环境要求极高、成本大。当前产业实践中，以“正极湿法+负极干法”的混合路线为主流，尚未完全实现全电极干法制备。干法路线需根据不同材料体系优化适配方案，目前仍处于持续迭代过程中。
干法工艺具备更强的材料适配性和更广的应用覆盖范围。干法延压、干法喷涂、挤出、气相沉积等工艺基本可覆盖正极、各类负极（包括锂金属、硅碳）、以及聚合物和部分无机固态电解质膜等关键材料体系。其中，干法挤出与气相沉积在制备聚合物或氧化物类结构膜时展现出良好兼容性，适用于复杂三维结构设计；而对于硫化物固态电解质膜，当前更主流的是采用干法压片或压延路径，以兼顾致密性与离子导通性能。
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