证券之星消息，根据天眼查APP数据显示豪威集团（603501）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“一种屏蔽栅沟槽MOSFET版图及器件”，专利申请号为CN202520197353.9，授权日为2026年3月17日。

专利摘要：本申请提供了一种屏蔽栅沟槽MOSFET版图及器件，本申请通过改变气相沉积氧化硅掩膜版区的边缘位置，与源极多晶硅掩模版错开一个沟槽，通过气相沉积氧化硅掩膜版刻蚀时，空洞会出现在元胞区的第一个沟槽，这样终端多晶硅连接接触孔，不会接触到栅多晶硅，既能够避免源栅漏电，又能够改善雪崩能量(简称：EAS)性能。

今年以来豪威集团新获得专利授权13个，较去年同期增加了160%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了13.65亿元，同比增8.7%。

通过天眼查大数据分析，豪威集成电路（集团）股份有限公司共对外投资了45家企业，参与招投标项目11次；财产线索方面有商标信息59条，专利信息205条，著作权信息2条；此外企业还拥有行政许可15个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。