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晶合集成获得发明专利授权:“用于制备金属硅化物的方法、半导体器件及其制备方法”

时间:2026年03月18日 03:07

证券之星消息,根据天眼查APP数据显示晶合集成(688249)新获得一项发明专利授权,专利名为“用于制备金属硅化物的方法、半导体器件及其制备方法”,专利申请号为CN202511746998.4,授权日为2026年3月17日。

专利摘要:本披露公开了一种用于制备金属硅化物的方法、半导体器件及其制备方法。该方法包括:制备衬底、栅极结构和衬底保护层,衬底保护层位于衬底的有源区,栅极结构包括:由下至上依次设置的用于调控栅极阈值电压的金属功函数层和用于保护栅极结构的栅极保护层;利用接触孔工艺,通过刻蚀气体刻蚀衬底保护层,以形成底部位于有源区的第一接触孔;以第一接触孔为反应窗口,在有源区形成金属硅化物。通过本披露实施例的方案,能够简化栅极侧墙增厚工艺和湿法栅极侧墙减薄工艺所在工序,从而解决层间绝缘介质层出现空洞的问题,降低器件桥接的风险,与此同时,还能够避免湿法栅极侧墙减薄工艺使用的化学药液对金属硅化物和栅极结构造成损伤,从而降低了器件接触不良和器件失效的风险。

今年以来晶合集成新获得专利授权111个,较去年同期增加了94.74%。结合公司2025年中报财务数据,2025上半年公司在研发方面投入了6.95亿元,同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析,合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业,参与招投标项目638次;财产线索方面有商标信息75条,专利信息1676条,著作权信息9条;此外企业还拥有行政许可22个。

数据来源:天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理,由AI算法生成(网信算备310104345710301240019号),不构成投资建议。

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