证券日报网3月3日讯 ，晶盛机电在接受调研者提问时表示，2025年9月，公司首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通线，至此，子公司浙江晶瑞SuperSiC真正实现了从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发，100%国产化，标志着晶盛在全球SiC衬底技术从并跑向领跑迈进，迈入高效智造新阶段。今年1月份，依托自主搭建的12英寸中试线，浙江晶瑞SuperSiC成功实现12英寸碳化硅衬底厚度均匀性（TTV）≤1μm的关键技术突破；这是继建成行业首条12英寸碳化硅中试线后，晶盛机电研发中心与浙江晶瑞SuperSiC联手取得的又一重大成果，充分彰显了晶盛机电“装备+材料”协同创新的核心优势。

（编辑 王雪儿）