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江丰电子申请一种消解铁硅合金的方法及其在ICP-OES测试中的应用专利,有效提高铁硅合金的溶解效果

时间:2025年11月22日 19:46

本文源自:市场资讯

国家知识产权局信息显示,宁波江丰电子材料股份有限公司申请一项名为“一种消解铁硅合金的方法及其在ICP-OES测试铁硅合金中的应用”的专利,公开号CN 120992304 A,申请日期为2025年9月。

专利摘要显示,本发明提供了一种消解铁硅合金的方法及其在ICP‑OES测试铁硅合金中的应用。所述方法包括如下步骤:(1)混合铁硅合金、硝酸和盐酸进行加热反应,得到反应液;(2)均匀混合氢氟酸和步骤(1)所得反应液,得到消解溶液。本发明通过硝酸和盐酸的初步溶解,结合氢氟酸的二次溶解,可以有效提高铁硅合金的溶解效果,同时具有快递、安全、高效的特点,能够达到ICP‑OES上机的检测标准。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

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