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国家知识产权局信息显示，晶能光电股份有限公司申请一项名为“一种倒装LED芯片及其制备方法”的专利，公开号CN121038465A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明提供的一种倒装LED芯片及其制备方法，倒装芯片的电极结构中包含依次层叠的连接金属层、钝化层、保护金属层和共晶金属层；钝化层完全覆盖LED芯片的表面，有效阻断外界环境中水汽、颗粒等与芯片的接触路径；钝化层和保护金属层相互配合对芯片形成了完整的隔绝，有效避免基板上的颗粒物和金属凸起物刺伤芯片；同时，保护金属层面积大于共晶金属层且覆盖钝化层的通孔，保护金属层的边缘超出共晶金属层边缘。将LED芯片焊接至基板时，在共晶焊接的典型工艺温度下，保护金属层保持固态，不发生熔融液化，能有效阻挡液化的共晶金属流动至芯片内部，避免接触芯片内部的金属发生漏电、短路等电性不良问题。

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'companyAbbreviation': '晶能光电',

'patentSummary': '一种倒装LED芯片及其制备方法',

'technicalEffect': '有效避免基板上的颗粒物和金属凸起物刺伤芯片',

'companyFullName': '晶能光电股份有限公司',

'patentName': '一种倒装LED芯片及其制备方法',

'publicationNumber': 'CN121038465A',

'applicationDate': '2025年10月',

'patentAbstract': '本发明提供的一种倒装LED芯片及其制备方法，倒装芯片的电极结构中包含依次层叠的连接金属层、钝化层、保护金属层和共晶金属层；钝化层完全覆盖LED芯片的表面，有效阻断外界环境中水汽、颗粒等与芯片的接触路径；钝化层和保护金属层相互配合对芯片形成了完整的隔绝，有效避免基板上的颗粒物和金属凸起物刺伤芯片；同时，保护金属层面积大于共晶金属层且覆盖钝化层的通孔，保护金属层的边缘超出共晶金属层边缘。将LED芯片焊接至基板时，在共晶焊接的典型工艺温度下，保护金属层保持固态，不发生熔融液化，能有效阻挡液化的共晶金属流动至芯片内部，避免接触芯片内部的金属发生漏电、短路等电性不良问题。'

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标题：晶能光电申请一种倒装LED芯片及其制备方法专利，有效避免基板上的颗粒物和金属凸起物刺伤芯片

天眼查资料显示，晶能光电股份有限公司，成立于2006年，位于南昌市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本38927.9181万人民币。通过天眼查大数据分析，晶能光电股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目32次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息268条，此外企业还拥有行政许可91个。

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