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国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种磁控溅射设备及真空腔体”的专利，公开号CN121023439A，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，本发明公开一种磁控溅射设备及真空腔体，包括用于承载衬底的基座，以及位于衬底上方的溅射源和第一电磁线圈，衬底位于真空腔内，还包括位于衬底下方的第二电磁线圈，第二电磁线圈与衬底同轴设置，且第二电磁线圈至少部分位于基座的径向区域外，第一电磁线圈与第二电磁线圈共同作用在衬底位置形成均匀垂直的磁场。提高磁控溅射在衬底表面沉积的均匀性。

天眼查资料显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2004年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本62614.5307万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了30家企业，参与招投标项目71次，财产线索方面有商标信息76条，专利信息1595条，此外企业还拥有行政许可77个。

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