本文源自:市场资讯
国家知识产权局信息显示,华南理工大学、中国电力科学研究院有限公司取得一项名为“一种芯片多层薄膜的制作装置及方法”的专利,授权公告号CN119932540B,申请日期为2025年2月。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
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