（来源：国金证券第5小时）

存储设备

自主可控+景气周期共振

●●●  缘 起  ●●●

据TrendForce集邦咨询最新调查显示，2025年第三季由于一般型DRAM（conventionalDRAM）合约价上涨、出货量季增，且HBM出货规模扩张，推升DRAM产业营收较前一季成长30.9%，达414亿美元。展望第四季，随着原厂库存普遍见底，出货位元季增幅将明显收敛。预估第四季最终conventionalDRAM合约价将季增45-50%，conventionalDRAM及HBM合并的整体合约价亦将上涨50-55%。

背景逻辑

◼ 全球存储进入超级周期 

AI驱动DRAM/NAND需求大幅提升，25H1原厂减产去库，且转向DDR5、HBM等高端产品、挤占DDR4等旧制程产能，使得全球存储超级周期出现。截至2025/11/10，DDR4/DDR5价格较年初涨幅+901%/+372%，NAND64GBMLC/32GBMLC价格涨幅+56%/70%，后续供需剪刀差有望进一步扩大：1）需求端：以GPT-5为例，我们预计2025年将新增DRAM/NAND需求量为9EB/200EB，2026年保守翻倍至18EB/400EB，预计将占据DRAM/NAND产能的43%/39%，同时消费电子、汽车电子等终端温和复苏。2）供给端：晶圆厂建设周期约2-3年，叠加海外龙头扩产纪律性强，未来新增产能有限，低于需求端增速。

◼ 大陆存储扩产空间超十倍 

1）自主可控是过去几年中国大陆存储扩产的核心逻辑，短期来看，长鑫、长存上市催化不断，预计2026年两存合计扩产10-12万片，总资本开支超过160亿美元。2026年海外存储产能全部售罄/锁定，国内存储芯片需求缺口比海外更严峻，大陆存储扩产迎来景气度周期共振，扩产迫切性提升。2）AI驱动下，我们保守估计中期全球存储产能翻倍至660万片/月，中国大陆先进存储具备全球竞争力，且海外扩产意愿低，看好未来中国大陆成为全球存储产能核心增量，假设远期产能占比50%，同时考虑到先进工艺节点升级带来的价值量提升，大陆存储扩产的空间超十倍。

◼ A股存储设备存在低估

设备、晶圆厂、模组作为存储产业链三大核心环节，受益全球存储超级周期。1）复盘海外股市，以上三大环节涨幅出色，大幅跑赢SOX。存储前道设备TTM估值达到30-40X，显著高于晶圆厂、模组TTM估值；从市值对比角度看，存储设备市值优势明显，仅LAM一家市值便超过闪迪、希捷、西部三大模组厂合计市值。2）A股存储设备涨幅&市值均存在低估：截至2025/11/7，拓荆科技/中微公司/京仪装备YTD涨幅128%/71%/97%，显著低于模组涨幅；中微公司、拓荆科技、京仪装备合计市值3110亿元，低于模组环节市值（5000亿元）。

催化引擎

“价格周期”和“技术周期”共振带来高斜率

风险提示

晶圆厂资本开支不及预期、海外制裁加剧风险、行业竞争加剧风险、技术迭代不及预期等。

本文撰稿人：毛锐  登记编号：S1130622080021

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