（来源：半导体前沿）

-来自彤程，龙图光罩，复旦大学，南开大学，暨南大学，苏州实验室，欣奕华，中电科48所，安捷伦，湖北菲利华，新维度微纳等单位的专家将作精彩报告

-第3届光掩模与光刻胶技术论坛将于2026年4月24日在上海召开

光刻胶（Photoresists）是光刻工艺中用于图形转移的核心电子化学材料，本质上是对特定波长辐射具有响应能力的感光功能材料，通过“涂覆—曝光—显影—刻蚀/沉积配合”的工艺链，将掩模版上的微细图形转移到晶圆、显示基板或PCB基材表面，是半导体、新型显示和印制电路板制造中不可替代的关键基础材料。按显影机理可分为正性光刻胶和负性光刻胶，按下游应用可分为半导体光刻胶、显示面板光刻胶和PCB用光刻胶，按半导体工艺节点又可细分为EUV、ArF浸没式、ArF干式、KrF及g/i-Line等系列。其性能优劣直接影响分辨率、线边粗糙度、缺陷密度、工艺窗口、良率与量产稳定性，因此行业具有极强的认证壁垒、客户粘性与工艺协同属性。

全球光刻胶市场已进入温和扩容、结构升级更快于总量扩张的新阶段。2025年全球光刻胶市场规模约 73.0亿美元，预计到2032年增至 108.4亿美元，2026-2032年复合增速约 5.8%；其中半导体光刻胶规模约 33.39亿美元，到2032年将升至 52.06亿美元，增速高于行业整体，已经成为拉动全球光刻胶成长的第一引擎。当前行业最鲜明的特征，是总量增长并不极端陡峭，但结构性升级非常明显：先进逻辑与先进存储持续推动EUV、ArF以及多层图形化相关材料升级，AI/HPC、高带宽存储、先进封装、新型显示和高端PCB共同支撑中期需求韧性；同时，光刻胶从单一耗材，进一步演变为与曝光设备、显影液、底部抗反射层、清洗及图形化方案深度绑定的系统性材料平台。

从产品结构看，半导体光刻胶是当前最大细分板块，2025年占全球光刻胶市场比重已接近一半，2032年占比仍将进一步抬升，显示行业重心正持续向高技术门槛、高附加值方向迁移。半导体光刻胶内部，EUV是增速最快的子品类，未来几年仍将维持明显领先的成长斜率；ArFi处于先进工艺和成熟延伸工艺的核心位置，仍是体量大、韧性强的重要市场；ArF Dry、KrF与g/i-Line则构成成熟工艺、功率器件、模拟器件、传感器及部分特色工艺的稳定基本盘。显示面板光刻胶方面，TFT-LCD光刻胶仍是最大单项品类，彩色光刻胶与黑色光刻胶维持稳健扩张；PCB光刻胶方面，干膜光刻胶和阻焊油墨构成主要收入来源，其中干膜在未来几年表现出更高的恢复与增长弹性，而湿膜整体增速相对偏弱。总体判断，产品结构正在从“中低端规模型”逐步转向“高端工艺驱动型”，高分辨率、低缺陷、厚膜化、多层图形化和更高环境适配性将成为主要演进方向。

从应用结构看，半导体、新型显示与PCB三大下游共同构成全球光刻胶需求主体，但增长质量与技术含量差异显著。半导体光刻胶是当前增速最快、技术门槛最高的应用板块，2026-2032年复合增速约 6.73%，主要受先进逻辑、DRAM微缩、3D NAND堆叠、先进封装RDL/Fan-Out/WLP以及High-NA EUV材料迭代带动；显示面板光刻胶主要用于TFT阵列、彩色滤光片、黑矩阵及触控相关工艺，需求更加稳健，更多体现为大尺寸、高分辨率、OLED/MLED升级带来的结构优化；PCB光刻胶则广泛应用于干膜线路转移、阻焊保护和部分湿膜工艺，受益于HDI、高层板、封装基板、服务器与汽车电子升级，未来恢复性增长较为明确。值得注意的是，先进封装与干法光刻正在成为行业新增量的重要方向，干法光刻/干法光刻胶有望通过减少湿法涂布步骤、降低缺陷与成本、延长单次图形化能力，改变部分高端应用的工艺路径。

全球光刻胶行业呈现高度分层、局部寡头化的竞争结构，尤其在半导体光刻胶领域，头部集中度显著高于其他电子化学品赛道。半导体光刻胶市场中，东京应化TOK、JSR、信越化学、Qnity、富士胶片、住友化学、东进世美肯等日韩美厂商长期占据主导地位，2025年前六大厂商合计份额已超过八成；显示面板光刻胶市场中，富士胶片、住友化学、东进世美、Merck KGaA（AZ）、JSR、新日铁化学、江苏雅克科技股份有限公司、彤程新材料旗下北旭电子、北京欣奕华科技有限公司等构成核心梯队；PCB光刻胶方面，旭化成、长兴材料、Resonac、长春、Kolon Industries、Mitsubishi Paper Mills以及太阳油墨、深圳市容大感光科技股份有限公司、江苏广信感光新材料股份有限公司等厂商分别在干膜和阻焊油墨环节占据优势。中国企业近年在PCB、显示和部分半导体成熟节点光刻胶领域推进明显，包括彤程新材及子公司北京科华微电子、晶瑞电材、徐州博康信息化学品、厦门恒坤新材料、江苏艾森半导体材料、珠海基石科技、上海新阳（维权）半导体材料、北京欣奕华、江苏南大光电、飞凯材料（维权）等，但在EUV及高端ArF体系上，与国际龙头仍存在显著差距。整体看，行业正在从“产品竞争”进一步转向“配方能力+客户验证+本地化交付+持续扩产+知识产权壁垒”的综合竞争。

从消费端看，中国已经是全球最大的光刻胶消费市场，2025年市场份额约 35.14%，显著领先于中国台湾和韩国；中国台湾、韩国、日本则分别依托晶圆代工、存储制造、显示面板和高端PCB产业链形成高强度需求集群，亚洲整体仍是全球光刻胶最核心的需求中心。生产端方面，日本仍是全球最主要的光刻胶生产地区，2025年份额超过一半，体现其在高端半导体光刻胶和部分显示/PCB光刻胶上的深厚积累；中国台湾、韩国、中国大陆、北美共同构成第二梯队，其中中国大陆虽然当前生产占比仍低于日本，但成长速度最快，预计到2032年其生产份额将继续上升，显示本土化制造、区域供应安全和国产替代正在同步强化。总体上，行业已形成“亚洲需求中心 + 日本技术高地 + 中韩台制造与应用协同 + 中国大陆加速追赶”的区域格局，未来竞争焦点将更多落在本地供应链完整性、客户联合开发效率与高端品类突破速度上。

中国近五年的政策主线十分清晰：一方面通过税收减免、关键原材料清单、重点企业认定和产业链专项支持，强化光刻胶及其上游树脂、感光剂、配套化学品的本土供给能力；另一方面通过“原材料工业高质量发展”“电子信息制造业稳增长”“工业设备更新”“标准体系升级”等政策，推动电子材料行业向高端化、绿色化、数字化和安全可控方向演进。进入“十五五”阶段后，政策重点进一步从“补短板”升级为“关键核心技术决定性突破”，这意味着光刻胶行业的政策环境不再局限于进口替代，而是向高端材料体系、核心工艺协同、成果转化和产业链韧性建设全面延伸。

 驱动光刻胶行业扩张的核心逻辑，已经从传统的电子制造需求增长，转向“先进工艺升级+关键材料替代+供应链重构”的三重共振。未来数年，先进逻辑、DRAM微缩、3D NAND堆叠、先进封装和高端PCB将持续推升EUV、ArF、厚膜及干法光刻相关材料需求；与此同时，中国市场在政策和资本支持下，将继续推动中高端光刻胶及上游关键原料的国产替代进程。但行业挑战同样突出，主要集中在高端树脂与PAG体系依赖外部、客户认证周期长、设备和检测平台昂贵、PFAS等环保合规压力增强，以及地缘政治扰动下的专利与供应链约束。行业未来的分化，不只取决于产能扩张，更取决于谁能率先突破高端配方、建立稳定客户验证体系并实现规模化一致性交付。

整体来看，全球光刻胶行业正处于“总量稳步增长、结构持续升级、竞争壁垒进一步抬升”的阶段。到2032年，行业规模将迈过百亿美元门槛，半导体光刻胶占比继续提升，并成为行业估值与技术演进的核心锚点；EUV、ArF浸没式、先进封装厚膜及干法光刻将是未来数年最值得关注的增长方向。竞争层面，国际龙头在高端产品、客户验证和全球交付体系上仍保持明显优势，但中国企业在PCB、显示和部分半导体成熟节点产品上的产业化能力正在持续增强，未来突破路径将更聚焦于“先成熟替代、再高端突破、最后向平台化材料体系延伸”。中长期看，谁能在配方创新、上游原料控制、工艺协同开发与量产一致性四个维度形成闭环，谁就更有可能在下一轮行业洗牌中获得超额成长。

来源：QYResearch