11月27日，浙江晶盛机电股份有限公司（以下简称“晶盛机电”）以电话会议形式接待了长江证券、南方基金、博时基金等62家机构的特定对象调研。公司投资者关系代表林婷婷就碳化硅衬底材料的应用前景、12英寸中试线进展、产能布局及半导体装备业务等核心议题与机构投资者进行了深入交流。

12英寸碳化硅中试线实现全线国产化 设备自主可控破“卡脖子”风险

调研中，机构重点关注公司12英寸碳化硅衬底加工中试线的进展。据介绍，该中试线已于9月26日在子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通线，标志着晶盛机电实现了从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发，100%国产化。其中，面精密研磨机等核心加工设备为公司历时多年自研攻关，性能指标达行业领先水平，形成“装备-材料”完整闭环，彻底解决关键装备“卡脖子”风险。公司表示，将加速推进产线量产进程，为客户提供高质量、低成本的大尺寸碳化硅衬底。

全球化产能布局：规划百万片级规模 8英寸已获国际批量订单

在产能布局方面，公司披露了多区域、多尺寸的碳化硅衬底扩产计划：在上虞布局年产30万片碳化硅衬底项目；在马来西亚槟城投建8英寸碳化硅衬底产业化项目，强化全球供应能力；同时在银川投建年产60万片8英寸碳化硅衬底片配套晶体项目，持续巩固技术和规模优势。

技术与市场进展上，公司6-8英寸碳化硅衬底已实现规模化量产与销售，核心参数指标达行业一流水平，8英寸技术和规模国内领先。目前，公司正积极推进全球客户验证，送样范围大幅提升，产品验证进展顺利，并成功获取部分国际客户批量订单。

半导体装备业务多点突破 推进国产替代进程

半导体装备业务方面，公司依托国产替代机遇，在多领域取得进展：-集成电路装备：自主研发的12英寸常压硅外延设备顺利交付国内头部客户，关键指标（电阻率、厚度均匀性等）达国际先进水平，其扁平腔体结构和多口分流系统设计可显著提升外延层均匀性，满足先进制程要求；开发的超快紫外激光开槽设备填补国内高端紫外激光开槽技术空白，实现国产替代。-化合物半导体装备：紧抓碳化硅产业链向8英寸转移趋势，加强8英寸碳化硅外延设备及6-8英寸减薄设备推广，推进氧化炉、激活炉等设备客户验证，为规模化量产奠定基础。-新能源光伏装备：完善金属腔、管式、板式三大平台设备体系，针对TOPCon提效及BC创新，推进EPD、LPCVD等设备市场推广，EPD设备持续强化行业领先优势。

晶盛机电表示，SiC作为第三代半导体核心材料，在新能源汽车、智能电网、5G通信等领域应用前景广阔，公司将通过技术创新与产能扩张，携手产业链伙伴推动我国第三代半导体产业发展。

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