当前，半导体材料已成为全球高技术竞争和大国博弈的焦点之一，其中，以碳化硅材料为代表的宽禁带半导体材料，已在新一代移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等重点领域批量应用，在技术创新与资本投入的双重驱动下，国内碳化硅产业链加速完善产业生态，技术和规模快速提升。

作为宽禁带半导体及其他碳化硅基器件制造的核心基础材料，碳化硅衬底的发展直接牵动产业链全局。目前，中国碳化硅衬底行业正处于关键的尺寸升级阶段：国内主流衬底企业的产品仍以6英寸衬底为主力；随着下游应用需求升级，8英寸导电型衬底的市场需求持续攀升，逐步成为行业新增长点；同时，已有少部分头部企业率先启动12英寸衬底的技术研发与布局，为行业未来发展抢占技术高地。

山东天岳先进科技股份有限公司

山东天岳先进科技股份有限公司成立于2010年11月，是全球宽禁带半导体材料行业的领军企业，自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。根据权威行业调研机构日本富士经济报告测算，2024年全球导电型碳化硅衬底材料市场占有率，天岳先进为22.8%（SICC）稳居全球前三。

公司专注于碳化硅行业已超过14 年，较早在国内实现了半绝缘型碳化硅衬底的产业化，并进一步实现导电型碳化硅衬底的产业化。公司依托研发、生产和管理经验，在产品大尺寸化上的优势不断提高，目前公司量产碳化硅衬底的尺寸已从2英寸迭代升级至8英寸，公司于2024年推出业内首款12英寸碳化硅衬底。

天岳先进目前已形成山东济南、上海临港碳化硅半导体材料生产基地，设计产能每年超40万片，高品质碳化硅衬底产品供应能力持续提升。公司积极开拓海外市场。公司高品质导电型碳化硅衬底产品加速“出海”，获得英飞凌、博世、安森美等下游电力电子、汽车电子领域的国际知名企业合作。

北京天科合达半导体股份有限公司

北京天科合达半导体股份有限公司成立于2006年，国内率先从事第三代半导体碳化硅单晶衬底及相关产品研发、生产和销售的国家级高新技术企业之一，也是国内碳化硅单晶衬底领域生产规模较大、产品种类较全的碳化硅衬底供应商，并于2021年被工信部认定为专精特新“小巨人”企业。

公司拥有雄厚的技术研发实力，历经近二十年卓有成效的自主研发和技术积累，公司已形成拥有自主知识产权的碳化硅单晶生长炉制造、原料合成、晶体生长、晶体加工、晶片加工、清洗检测和外延片制备等七大关键核心技术体系，覆盖碳化硅材料生产全流程。

2024年11月，天科合达第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目开工仪式举行，项目旨在打造行业内领先的智能化生产线，量产8英寸碳化硅衬底。此外，2025年初，公司实现导电型SiC衬底累计百万片级的出货突破。2025年3月，公司推出12英寸热沉级碳化硅衬底。

三安光电股份有限公司

三安光电股份有限公司主要从事半导体新材料、外延、芯片与器件的研发、生产与销售。其子公司湖南三安系国内为数不多的碳化硅产业链垂直整合制造平台，产业链包括晶体生长—衬底制备—外延生长—芯片制程—封装测试，产品已广泛应用于新能源汽车、光伏储能、充电桩、AI及数据中心服务器等领域。

目前，湖南三安已拥有6吋碳化硅配套产能16,000片/月，8吋碳化硅衬底产能1,000片/月、外延产能2,000片/月，8吋碳化硅芯片产线已通线。湖南三安6吋衬底、外延的工艺及良率持续优化，向国际客户稳定出货，8吋衬底及外延已实现小规模量产。同时，公司与AI/AR眼镜领域的国内外终端厂商、光学元件厂商紧密合作，碳化硅光学衬底产品已向多家客户小批量交付。

湖南三安与意法半导体在重庆设立的合资公司安意法生产碳化硅外延、芯片独家销售给意法半导体，已于2025年2月实现通线；为保证未来合资公司对碳化硅衬底材料的需求，湖南三安的全资子公司重庆三安将匹配生产碳化硅衬底供应给安意法，首次建设产能2,000片/月，已开始逐步释放产能，规划达产后8吋衬底产能为48万片/年。

山西烁科晶体有限公司

山西烁科晶体有限公司是国内从事第三代半导体材料碳化硅生产和研发的领军企业。公司通过自主创新和自主研发全面掌握了碳化硅生长装备制造、高纯碳化硅粉料制备工艺，N型碳化硅单晶衬底和高纯半绝缘碳化硅单晶衬底的制备工艺，形成了碳化硅粉料制备、单晶生长、晶片加工等整套生产线。并完成4、6、8英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底技术攻关，一举突破国外对我国碳化硅晶体生长技术的长期封锁，是目前国内率先实现碳化硅材料产业链供应链自主可控的碳化硅材料供应商之一。

2024年12月，公司全球首发12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底，围绕碳化硅基底刻蚀制备衍射光波导镜片的核心技术攻关，推动碳化硅刻蚀衍射光波导产品的研发与量产。

广州南砂晶圆半导体技术有限公司

广州南砂晶圆半导体技术有限公司成立于2018年9月，是一家从事碳化硅单晶材料研发、生产和销售的国家高新技术企业，荣获国家级专精特新重点“小巨人”称号。

公司总部设在广州市南沙区，现有广州、中山、济南三大生产基地，形成了碳化硅单晶炉制造、碳化硅粉料制备、碳化硅单晶生长和衬底制备等完整的生产线；公司产品包括6英寸、8英寸导电型和半绝缘型碳化硅衬底。2025年公司正式展示12英寸导电型SiC衬底。

浙江晶越半导体有限公司

浙江晶越半导体有限公司成立于2020年7月，坐落于绍兴嵊州市经济技术开发区，注册资本2.04亿，是一家专业从事高品质8-12英寸碳化硅晶锭、籽晶及衬底研发、生产的高科技半导体公司。

2025年上半年，晶越半导体成功量产8英寸碳化硅衬底后，持续投入并不断加大研发力度，并在热场设计、籽晶粘接、厚度提升以及缺陷控制方面不断调整和优化工艺，7月，公司研制出高品质12英寸SiC晶锭。

山西天成半导体材料有限公司

山西天成半导体材料有限公司成立于2021年8月，是一家专注于第三代半导体碳化硅衬底材料研发、生产及晶体生长装备制造的高新技术企业。公司现已形成了碳化硅单晶炉制造、碳化硅粉料制备、碳化硅单晶生长和衬底制备等完整的生产线，公司产品以6、8英寸导电型和半绝缘型碳化硅衬底为主，并可批量生产。

2025年第二季度，山西天成半导体材料有限公司成功研制出12英寸（300mm）N型碳化硅单晶材料。

河北同光半导体股份有限公司

河北同光半导体股份有限公司成立于2012年，总投资20亿元。专业从事碳化硅单晶片研发，生产和销售，是国家高新技术企业，国家专精特新“小巨人”企业。同光股份下设三个工厂，保定同光晶体工厂、涞源工厂和保定同光新材料工厂，全部达产后可实现年产100万片6/8英寸单晶衬底的生产，覆盖从原料合成、晶体生长、衬底加工，到晶片检测的完整生产线。

2025年，同光半导体12英寸N型碳化硅晶锭亮相。

浙江晶瑞电子材料有限公司

浙江晶瑞电子材料有限公司(SuperSiC)，注册资本10亿元，是浙江晶盛机电股份有限公司的子公司。公司成立于2014年, 专注于碳化硅、蓝宝石等化合物半导体材料的研发生产与销售，并已成长为全球知名的化合物半导体材料供应商。

目前，浙江晶瑞电子碳化硅衬底材料业务已实现 6-8 英寸碳化硅衬底规模化量产与销售，量产的碳化硅衬底核心参数指标达到行业一流水平，并实现 12 英寸导电型碳化硅单晶生长技术突破，成功长出 12 英寸碳化硅晶体。

哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司

哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司于2018年5月成立，是一家技术研发型高科技企业，专注于半导体装备研发、衬底制造、器件设计、技术转移和科研成果转化。

2025年9月，科友半导体成功制备出12英寸碳化硅晶锭。这一成果标志着科友半导体成为国内少数同时掌握12英寸碳化硅晶体生长设备与工艺全套核心技术的半导体企业之一。

合肥露笑半导体材料有限公司

合肥露笑半导体材料有限公司成立于2020年，坐落于安徽合肥。公司目前注册资金5.75亿元，是一家专注第三代功率半导体材料碳化硅晶体生长、衬底片、外延片研发、生产和销售的高科技企业。

公司突破了高质量碳化硅晶体生长、高几何精度及近零损伤表面加工关键技术，掌握了制造碳化硅长晶炉的核心技术、衬底加工和清洗的系统解决方案。

浙江东尼电子（维权）股份有限公司

浙江东尼电子股份有限公司始创于2008年，2017年在上交所主板上市，东尼采用的前沿技术突破了碳化硅单晶材料的大直径生长、多型控制、应力和位错缺陷降低等关键问题，解决了碳化硅晶体生长缺陷数量的控制和晶体品质的瓶颈问题，从而得到高质量、大尺寸的碳化硅单晶材料。

公司生产的导电型碳化硅衬底材料，为半导体器件制造的关键原材料，可广泛应用于功率器件，需求有望随着器件市场规模的增长而取得快速增长。

江苏超芯星半导体有限公司

江苏超芯星半导体有限公司长期致力于第三代半导体碳化硅衬底技术的研发与产业化，秉承技术先进、质量至上、互惠共赢的经营理念，为客户提供高品质产品和服务，追求可持续发展，立志成为碳化硅领域的技术先行者，公司可生产6-8英寸碳化硅衬底。

参考来源：各企业官网、半年报、新浪财经、集微网等

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