12月4日，拓荆科技举行2025年第三季度业绩说明会。

会上信息，拓荆科技当期业绩表现亮眼，财报数据显示，第三季度实现营收 22.66 亿元，同比增长 124.15%；归母净利润 4.62 亿元，同比增幅高达 225.07%。

公司董事长吕光泉在业绩会上解释，营收高增长主要得益于面向先进制程领域的新产品、新工艺设备进入规模化量产阶段，而净利润的大幅提升则是营收规模持续扩大、期间费用率下降带来的规模效应逐步显现的结果。

截至 2025 年第三季度末，拓荆科技多款基于新型设备平台（PF-300TPlus 和 PF-300M）及新型反应腔（pX 和 Supra-D）的先进制程验证机台已顺利通过客户认证并进入规模化量产，涵盖 PECVD Stack（ONO 叠层）、ACHM 以及 PECVD Bianca、ALD SiCO 等核心产品。

针对半导体设备迭代加速的行业现象，吕光泉表示，当前半导体芯片制程和技术更新速度持续加快，行业已逐步迈入后摩尔时代，新结构、新材料不断涌现，推动设备需求升级。

在制程层面，随着尖端芯片技术节点逼近摩尔定律极限，全环绕栅极（GAA）、背面供电等核心技术应运而生，高 K（High-K）金属栅等特殊材料的应用愈发关键。

在结构层面，数据量爆发式增长驱动高带宽存储器（HBM）向三维集成方向演进，3D NAND FlASH 芯片堆叠层数持续提升，这些趋势均将拉动下游客户对半导体设备的技术要求和需求规模，公司将持续深耕薄膜沉积设备和三维集成设备领域。

据公开报道，2025 年四季度以来，存储现货行情保持强势上涨态势，新需求持续接受新报价，为存储厂商提供了充足的涨价信心，推动相关成品价格不断突破前高。

对此，吕光泉认为，存储价格上涨反映出市场仍存在较大需求缺口，从中长期来看，有望带动存储芯片制造厂持续扩大产能。而随着存储芯片制程推进及结构复杂化，行业对先进硬掩模和关键介质薄膜的性能要求不断提高，同时进一步加速 HBM 三维集成演进和 3D NAND 堆叠层数提升，这些技术发展趋势都将大幅拉动薄膜设备的市场需求。

订单与市场推广方面，吕光泉透露，公司目前 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD 等薄膜设备系列产品及先进键合系列产品已在存储芯片制造领域实现产业化应用，在手订单饱满，若后续下游客户进一步扩产，预计将持续拉动相关产品需求。

在键合设备领域，公司晶圆对晶圆混合键合设备已获得重复订单，新一代高速高精度晶圆对晶圆混合键合产品已发货至客户端验证，芯片对晶圆混合键合设备验证进展顺利，同时永久键合后晶圆激光剥离产品已开发完成。

产能布局方面，吕光泉介绍，公司目前在沈阳、上海临港设有产业化基地，总体可支撑超过 700 台套 / 年的产能，且沈阳二厂正在建设中，未来将进一步提升公司的产能支撑能力。