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投资者提问:公司的半导体臭氧设备产生的臭氧能否在3D NAND存储芯片结构...

时间:2026年01月21日 08:36

投资者提问:

公司的半导体臭氧设备产生的臭氧能否在3D NAND存储芯片结构中形成纳米级均匀氧化层?

董秘回答(国林科技SZ300786):

尊敬的投资者,您好。公司的半导体专用臭氧系统设备能够产生高浓度、超纯净的臭氧,臭氧在电子工业领域被广泛用于形成CVD及ALD薄膜、氧化物生长等工艺环节。在3D NAND存储芯片结构中,臭氧因其高氧化性、清洁效率和环保特性,能够满足半导体制造对精度、缺陷控制和材料兼容性的严苛要求,从而实现纳米级均匀氧化层的形成。感谢您的关注。

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